DSEC16-06A
0 400 800200 600 1000
70
80
90
100
110
120
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
0.001
0.01
0.1
1
10
04080120160
0.0
0.5
Kf
1.0
1.5
2.0
0 200 400 600 800 1000
0
5
10
15
20
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0 400 800200 600 1000
0
10
20
30
40
1000
100
0.0
0.2
0.4
0.6
Q
0.8
r
1.0
1.2
1.4
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
5
10
15
20
25
30
TVJ
[°C]
t[s]
VFR
[V]
IRM
[A]
[μC]
IF
[A]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
trr
[ns]
tfr
[μs]
ZthJC
[K/W]
-diF/dt [A/μs]
-diF/dt [A/μs]
-diF/dt [A/μs]
VFR
trr
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Dynamic parameters
Qr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. recovery time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case
IRM
Qr
TVJ
= 150°C
TVJ
= 100°C
TVJ
= 25°C
IF
= 20 A
IF
= 10 A
IF
=5 A
IF
= 20 A
IF
= 10 A
IF
= 5 A
TVJ= 100°C
I
F
=10A
IF
= 20 A
IF
= 10 A
IF
=5 A
TVJ= 100°C
VR
= 300 V
TVJ=100°C
VR
= 300 V
TVJ= 100°C
VR
= 300 V
Constants for ZthJC
calculation:
iRthi
[K/W] ti
[s]
1 1.449 0.0052
2 0.5578 0.0003
3 0.4931 0.0169
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20120705b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2012 IXYS all rights reserved
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